ПАТОМОРФОЗ ФОКАЛЬНОЙ ЭПИЛЕПСИИ И ЕГО НЕЙРОФИЗИОЛОГИЧЕСКИЕ КОРРЕЛЯТЫ

Изменение электроэнцефалографической (ЭЭГ) картины у больных эпилепсией (БЭ) позволяет объективно оценивать изменения функционального состояния головного мозга и в совокупности с клиническими данными определять эффективность проводимого лечения. Расчет спектральной мощности ЭЭГ дает возможность объективизировать выраженность патологической церебральной активности и исследовать особенности ее пространственного распределения. Применение рутинных и математических методов анализа ЭЭГ БЭ позволяет выявить нейрофизиологические предикторы фармакорезистентности.

Цель – выявить нейрофизиологические корреляты фармакорезистентностиу БЭ.

Материалы и методы. Обследовано 160 БЭ: 80 – с фармакорезистентной эпилепсией (ФРЭ) и 80 – с контролируемой эпилепсией (КЭ). Обследуемым был проведен комплекс нейрофизиологических исследований (ЭЭГ, ЭЭГ-видеомониторинг) с использованием спектрального анализа.

Результаты. Определена зависимость локализации пароксизмальной электрической активности (ПА) от резистентности заболевания. Установлено, что в группе с ФРЭ синдром вторичной билатеральной синхронизации (ВБС) разной степени выраженности встречается в 1,91 раза чаще, чем при КЭ, и является одним из неблагоприятных факторов, определяющих тяжелое течение эпилепсии и появление новых типов припадков. В результате спектрального анализа (СА) ЭЭГ выявлены особенности фронто-окципитальных различий ПА у фармакорезистентных больных, характеризующие сходную степень участия диэнцефальных и мезэнцефальных структур в генерализации пароксизмов, в то время как для больных с КЭ характерна более активная роль диэнцефальных отделов.

Выводы. Выявлены нейрофизиологические факторы, коррелирующие с резистентностью к противоэпилептической медикаментозной терапии. Полученные данные могут быть применены для своевременной диагностики патоморфоза заболевания и выбора правильной лечебной тактики.